2010年03月
せっかく4015を使うのならと、シフトレジスタを全て使って8回目のトリガが可能なようにしてみた。
ディップスイッチでトリガを何回目の発光にするか選ぶことが出来るので、X-550以外のカメラでも使用可能になったかもしれない。
部品表
器具符号、品名、型式、仕様、数量、単価
R1、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R2、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R3、金属皮膜抵抗、1MΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R4、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R5、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
Q1、フォトトランジスタ、NJL7502L、2Pフォトトランジスタ,560nm,±20°、1、50
SCR1、サイリスタ、MCR22-8、600V,1A、1、25
C1、ケミカルコンデンサ、10μF、25V,小型、1、15
C2、積層フィルムコンデンサ、0.047μF(473)、50V、1、10
C3、積層セラミックコンデンサ、1.5μF、25V、1、20
C4、積層セラミックコンデンサ、220pF(221)、1、11
SW、DIPスイッチ、8bit、1、233
U、シフトレジスタ、μPD4015BC、1、83
ブレッドボードで仮組テスト。
X-550の場合は2回目の発光にシンクロすればOKだ。
シフトレジスタってこういうふうに使えばいいんですね。
勉強になりました
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ディップスイッチでトリガを何回目の発光にするか選ぶことが出来るので、X-550以外のカメラでも使用可能になったかもしれない。
部品表
器具符号、品名、型式、仕様、数量、単価
R1、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R2、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R3、金属皮膜抵抗、1MΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R4、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
R5、金属皮膜抵抗、10kΩ、1/4W,誤差1%、1、3
Q1、フォトトランジスタ、NJL7502L、2Pフォトトランジスタ,560nm,±20°、1、50
SCR1、サイリスタ、MCR22-8、600V,1A、1、25
C1、ケミカルコンデンサ、10μF、25V,小型、1、15
C2、積層フィルムコンデンサ、0.047μF(473)、50V、1、10
C3、積層セラミックコンデンサ、1.5μF、25V、1、20
C4、積層セラミックコンデンサ、220pF(221)、1、11
SW、DIPスイッチ、8bit、1、233
U、シフトレジスタ、μPD4015BC、1、83
ブレッドボードで仮組テスト。
X-550の場合は2回目の発光にシンクロすればOKだ。
シフトレジスタってこういうふうに使えばいいんですね。
勉強になりました
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戯れにノロジーホットワイヤーを付けたコイルで1次電圧波形を測定してみた。
プラグはイリジウム。ドエルタイムは2msecで設定。
コイルごと交換して比較してみた。
比較のためのノーマルの波形
約1msecの放電時間。
ノロジーは0.25msecも放電時間が延びている。!?
理屈通りだと、コイルのエネルギーが同じでケーブルの容量成分が増えているので誘導成分による放電が減っているはず。
なので、放電時間が短くなっているはずなのだが、なんでだろ??
サンプル数が少ないので、たまたまこの個体でノーマルが放電時間が短く、ノロジーの放電時間が長くなっているだけなのか、全体にこのような傾向があるのかは判らない。
けれど、この組合せに限って言えば、これだけ放電時間が長くなっていれば中低速の点火に良い影響があるかもしれない。
※謝辞
このノロジーは、以前、ますたー?さんにコイルごと頂いて、若干修復を加えたものです。
その節はお世話になりました。ここで重ねてお礼を申し上げます。ありがとうございました。続きを読む
プラグはイリジウム。ドエルタイムは2msecで設定。
コイルごと交換して比較してみた。
比較のためのノーマルの波形
約1msecの放電時間。
ノロジーは0.25msecも放電時間が延びている。!?
理屈通りだと、コイルのエネルギーが同じでケーブルの容量成分が増えているので誘導成分による放電が減っているはず。
なので、放電時間が短くなっているはずなのだが、なんでだろ??
サンプル数が少ないので、たまたまこの個体でノーマルが放電時間が短く、ノロジーの放電時間が長くなっているだけなのか、全体にこのような傾向があるのかは判らない。
けれど、この組合せに限って言えば、これだけ放電時間が長くなっていれば中低速の点火に良い影響があるかもしれない。
※謝辞
このノロジーは、以前、ますたー?さんにコイルごと頂いて、若干修復を加えたものです。
その節はお世話になりました。ここで重ねてお礼を申し上げます。ありがとうございました。続きを読む
さて、前回簡易イグナイタが制御不能に陥ったことを反省して次のような回路を考えてみた。
(回路図が横に長いので要ダウンロード)
ノイズ対策として、MOS-FETのゲートのインピーダンスを下げるべくR5を4.7kΩから470Ωに変更。
このことにより不足するゲートドライブ電流はフォトカプラのTLP250を使用することで解決。
(最初ディスクリートのトランジスでタプッシュプル回路を考えたりしてたんだが、めんどくさくなった)
尚、2SK3192のゲートドライブ電流は次のように計算した。
Ig=Qg/2Tg=95[nC]/2*115[nsec]=413[mA]
Qg : ゲートチャージ量[nC]
Tg : ターンオン時間[nsec]
5A近くの電流が断続的に流れるので、タイマICの電源には電圧降下対策の回路を入れ、出力はPNPトランジスタで論理反転してデューティ比の問題をクリアする。
タイマICは思うところあって、LMC555からNE555へ変更。
VR1とVR2は多回転の半固定抵抗を使えば調整もし易い。
これで555タイマ1個でサイクルとドエルタイムをかなり自由に変更できる(ハズ)。
電源はバッテリと直流電源装置を並列に繋いでおけば、実車に近い状態でテスト出来るだろう。
部品が入手でき次第製作しよう。
一方で、FETの2SK3192のアバランシェ降伏を観察してみた。
まず正常にスパークしている状態を観測する。
放電後、すぐに収束していることが判る。
そのままプラグキャップを抜いてみる。
すると、イグニションコイルの1次側に発生した電圧は放電することが出来ないので行き場が無くなる。
結果ものすごく高電圧になり、やがて電圧はFETの遮断電圧の定格を超えて内部を通り抜ける。
この現象をアバランシェ降伏というのだけれど、このときFETのドレイン-ソース間はアバランシェ降伏の電圧が維持される。グラフに富士山状の形でよく現れていると思う。
また、このときに流れる電流はFETの内部で熱になるわけだが、その量は絶対定格を超えてはならない。
データシートによると、2SK3192のアバランシェエネルギー容量は925mJである。
同クラスのMOS-FETと比較すると、この数字は実はかなり大きい。
言い換えるとこのFETはアバランシェ降伏によっては壊れにくい。
MOS-FETを使ってイグナイタを作る場合、程度の大小はあれ、容量放電時にはほぼ必ず定格電圧を超えてしまう。
ゆえにこの特性はかなり重要なのではなかろうか。
2SK3192はすでに入手出来なくなっているようなので、今後、互換品を探す上で注意してみたいと思う。続きを読む
(回路図が横に長いので要ダウンロード)
ノイズ対策として、MOS-FETのゲートのインピーダンスを下げるべくR5を4.7kΩから470Ωに変更。
このことにより不足するゲートドライブ電流はフォトカプラのTLP250を使用することで解決。
(最初ディスクリートのトランジスでタプッシュプル回路を考えたりしてたんだが、めんどくさくなった)
尚、2SK3192のゲートドライブ電流は次のように計算した。
Ig=Qg/2Tg=95[nC]/2*115[nsec]=413[mA]
Qg : ゲートチャージ量[nC]
Tg : ターンオン時間[nsec]
5A近くの電流が断続的に流れるので、タイマICの電源には電圧降下対策の回路を入れ、出力はPNPトランジスタで論理反転してデューティ比の問題をクリアする。
タイマICは思うところあって、LMC555からNE555へ変更。
VR1とVR2は多回転の半固定抵抗を使えば調整もし易い。
これで555タイマ1個でサイクルとドエルタイムをかなり自由に変更できる(ハズ)。
電源はバッテリと直流電源装置を並列に繋いでおけば、実車に近い状態でテスト出来るだろう。
部品が入手でき次第製作しよう。
一方で、FETの2SK3192のアバランシェ降伏を観察してみた。
まず正常にスパークしている状態を観測する。
放電後、すぐに収束していることが判る。
そのままプラグキャップを抜いてみる。
すると、イグニションコイルの1次側に発生した電圧は放電することが出来ないので行き場が無くなる。
結果ものすごく高電圧になり、やがて電圧はFETの遮断電圧の定格を超えて内部を通り抜ける。
この現象をアバランシェ降伏というのだけれど、このときFETのドレイン-ソース間はアバランシェ降伏の電圧が維持される。グラフに富士山状の形でよく現れていると思う。
また、このときに流れる電流はFETの内部で熱になるわけだが、その量は絶対定格を超えてはならない。
データシートによると、2SK3192のアバランシェエネルギー容量は925mJである。
同クラスのMOS-FETと比較すると、この数字は実はかなり大きい。
言い換えるとこのFETはアバランシェ降伏によっては壊れにくい。
MOS-FETを使ってイグナイタを作る場合、程度の大小はあれ、容量放電時にはほぼ必ず定格電圧を超えてしまう。
ゆえにこの特性はかなり重要なのではなかろうか。
2SK3192はすでに入手出来なくなっているようなので、今後、互換品を探す上で注意してみたいと思う。続きを読む
実験用簡易イグナイタをもう少しふくらませて、いろいろな実験ができるようにしてみよう。
このイグナイタ、抵抗入りプラグを使っている場合は問題が無いが、火花放電の状態を確認するためにスパークテスタをつけたとたんに発振して制御不能になった。
(ぴ~か~ちゅ~~~~~!とか言いながら放電させてると、10万Vは無いだろうと息子に笑われた )
おそらくFETのゲートに誘導ノイズが乗ってしまっているのだと思う。
ゲートの入力インピーダンスを下げる必要があるのだろうけれど、R4を小さくしてブリード電流を増やすとオシレータからの電流が足りなくなってしまう。
FETの駆動回路をもう少し練らないとダメだな。
とはいえ、とりあえずイグニションコイルの+配線にシャント抵抗を割り込ませて、1次コイルに流れる電流をモニタしてみた。
シャント抵抗は公称0.1Ωのもの。
×10プローブで抵抗の両端に出ている電圧を測定しているので、この写真だと300mV強発生している。
比較的綺麗にとれているので安心した。
横軸を拡大してみた。
FETがONするとイグニションコイルに充電が開始されるが、コイルのリアクタンスの影響で徐々に電流値が増えていくさまが解る。
ドェルタイムを2msecに設定しているので、1次コイルにチャージが完了する前に放電がされている。
ちなみにこの時間はエンジンが15000rpmくらいで回ってる場合を想定している。
ドェルタイムを伸ばしていくと、電流の曲線が綺麗に伸びていくさまが観察出来る。
このコイルの場合だと、だいたい4msecで飽和するらしい。
グラフ上では400mVなので、計算上は4Aほど流れていることになる。
コイルの線抵抗は3Ω強でコイルの電源電圧が12.6Vだからほぼ計算通りに流れているし、観測できていると思う。
それにしても4msecは長い。
高回転では電流が80%くらいしか流れていない。
ということは、コイルの持てるエネルギーの50%くらいで放電していることになるんだが、点火エネルギーとして本当にこれで必要十分なのだろうか?
GPXのエンジンが高回転になるにつれてトルク感が細くなっていくのは、案外、このあたりも影響してるような気がする。
どこまで横道にそれるんだという話はさておく
続きを読む
このイグナイタ、抵抗入りプラグを使っている場合は問題が無いが、火花放電の状態を確認するためにスパークテスタをつけたとたんに発振して制御不能になった。
(ぴ~か~ちゅ~~~~~!とか言いながら放電させてると、10万Vは無いだろうと息子に笑われた )
おそらくFETのゲートに誘導ノイズが乗ってしまっているのだと思う。
ゲートの入力インピーダンスを下げる必要があるのだろうけれど、R4を小さくしてブリード電流を増やすとオシレータからの電流が足りなくなってしまう。
FETの駆動回路をもう少し練らないとダメだな。
とはいえ、とりあえずイグニションコイルの+配線にシャント抵抗を割り込ませて、1次コイルに流れる電流をモニタしてみた。
シャント抵抗は公称0.1Ωのもの。
×10プローブで抵抗の両端に出ている電圧を測定しているので、この写真だと300mV強発生している。
比較的綺麗にとれているので安心した。
横軸を拡大してみた。
FETがONするとイグニションコイルに充電が開始されるが、コイルのリアクタンスの影響で徐々に電流値が増えていくさまが解る。
ドェルタイムを2msecに設定しているので、1次コイルにチャージが完了する前に放電がされている。
ちなみにこの時間はエンジンが15000rpmくらいで回ってる場合を想定している。
ドェルタイムを伸ばしていくと、電流の曲線が綺麗に伸びていくさまが観察出来る。
このコイルの場合だと、だいたい4msecで飽和するらしい。
グラフ上では400mVなので、計算上は4Aほど流れていることになる。
コイルの線抵抗は3Ω強でコイルの電源電圧が12.6Vだからほぼ計算通りに流れているし、観測できていると思う。
それにしても4msecは長い。
高回転では電流が80%くらいしか流れていない。
ということは、コイルの持てるエネルギーの50%くらいで放電していることになるんだが、点火エネルギーとして本当にこれで必要十分なのだろうか?
GPXのエンジンが高回転になるにつれてトルク感が細くなっていくのは、案外、このあたりも影響してるような気がする。
どこまで横道にそれるんだという話はさておく
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